[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明是有关一种半导体结构及其制造方法，本发明的半导体制造方法利用形成氧化物层的同时，部分氧化物层区隔出空间或提供高度差，以供作为传导用的线路(Bus)形成在其上。如此，传导线路可不需额外的光掩膜来定义，而可在随后的制造中形成导体材料于该氧化物层区之上。因此，本发明的半导体的制造可减少所需的光掩膜数以降低成本。

主权项

1、一种半导体结构，其特征在于其包含：一操作区，该操作区内有多个操作单元，该些操作单元接收一控制信号，并根据该控制信号操作；以及一传导区，电性连接至该些操作单元，以将该控制信号传至该些操作单元；其中，该传导区具有一辅助部、一传导部及一接触部，该辅助部由非导体材料所构成，并区隔出多个空间，该传导部由导体材料所构成，形成于该些空间之上并电性连接该些操作单元，该传导区被移除部分传导区以形成至少一接触窗并裸露出部分该辅助部，该接触部形成于该至少一接触窗之上以接收该控制信号并与该传导部电性连接。