[发明专利]光电转换装置的制造方法有效
申请号: | 200810130072.2 | 申请日: | 2008-07-24 |
公开(公告)号: | CN101355116A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 荒井康行;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于在不降低堆积速度的同时在大面积衬底上生产率高地形成以500℃以下直接形成的优质的微晶半导体层,而提供一种将该结晶半导体层用作光电转换层的光电转换装置。对由并列设置的多个波导管、以及墙面包围的处理室供应包含氦的反应气体,在将所述处理室内的压力保持为大气压或准大气压的同时,对由并列设置的波导管夹住的空间供应微波来产生等离子体,来在装载于处理室内的衬底上堆积由微晶半导体构成的光电转换层。在并列设置的多个波导管的相对表面设置槽缝,通过该槽缝将微波供应到处理室内产生等离子体,来谋求实现等离子体的高密度化。将当产生该等离子体时的压力设定为大气压或者准大气压。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:对包括突出为梳子状地并列设置的多个波导管的处理室供应包含氦的反应气体;以及在将所述处理室内的压力保持为1×102Pa以上且1×105Pa以下的同时,通过对夹在所述多个波导管之间的空间供应微波产生等离子体,来在装载于所述处理室内的衬底上形成由微晶半导体构成的光电转换层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的