[发明专利]光电转换装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810130072.2 申请日: 2008-07-24
公开(公告)号: CN101355116A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 荒井康行;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 屠长存
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于在不降低堆积速度的同时在大面积衬底上生产率高地形成以500℃以下直接形成的优质的微晶半导体层,而提供一种将该结晶半导体层用作光电转换层的光电转换装置。对由并列设置的多个波导管、以及墙面包围的处理室供应包含氦的反应气体,在将所述处理室内的压力保持为大气压或准大气压的同时,对由并列设置的波导管夹住的空间供应微波来产生等离子体,来在装载于处理室内的衬底上堆积由微晶半导体构成的光电转换层。在并列设置的多个波导管的相对表面设置槽缝,通过该槽缝将微波供应到处理室内产生等离子体,来谋求实现等离子体的高密度化。将当产生该等离子体时的压力设定为大气压或者准大气压。
搜索关键词: 光电 转换 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:对包括突出为梳子状地并列设置的多个波导管的处理室供应包含氦的反应气体;以及在将所述处理室内的压力保持为1×102Pa以上且1×105Pa以下的同时,通过对夹在所述多个波导管之间的空间供应微波产生等离子体,来在装载于所述处理室内的衬底上形成由微晶半导体构成的光电转换层。
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