[发明专利]自支撑(Al,Ga,In)N以及形成自支撑(Al,Ga,In)N的分离方法有效
| 申请号： | 200810130158.5 | 申请日： | 2002-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101353813A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·P·沃多;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂施勒;迈克尔·K·凯利 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B33/00;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨青;樊卫民 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)的方法，其步骤包括：提供外延相容的牺牲模板(12)；在模板(12)上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料(16)，形成牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)，其中包括牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)之间的界面(14)；以及对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)进行界面改性，使牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)，通过这种方法制造的自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)具有优异的形态特征，并且适于用作基体，例如，用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 al ga in 以及 形成 分离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适合进行晶体生长和原位激光分离的设备，所述设备包括：生长反应器，包括适合支持牺牲模板的基座，所述基座适合使激光束穿过；和激光器，与生长反应器有效连接以使激光束穿透基座。
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