[发明专利]存储器驱动方法和半导体存储装置无效
| 申请号： | 200810130277.0 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101329898A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 大泽隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406;H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种存储器驱动方法和半导体存储装置。本公开涉及一种驱动存储器的方法，所述存储器包括存储器单元、位线和字线，每个存储器单元具有源极、漏极和浮体，所述方法包括执行刷新操作，以恢复所述存储器单元的第一逻辑数据的劣化和所述存储器单元的第二逻辑数据的劣化，其中在所述刷新操作中，当所述浮体处的电位大于临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量大于从所述浮体中流出的载流子的数量，并且当所述浮体处的电位小于所述临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量小于从所述浮体中流出的载流子的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 驱动 方法 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种驱动存储器的方法，所述存储器包括存储器单元、位线和字线，每个存储器单元具有源极、漏极和处于电浮动状态的浮体，所述存储器单元根据在所述浮体中的载流子的数量存储逻辑数据，所述位线连接到所述漏极，所述字线与所述位线交叉，所述方法包括以下步骤：执行刷新操作，以恢复所述存储器单元的第一逻辑数据的劣化和所述存储器单元的第二逻辑数据的劣化，存储所述第二逻辑数据的存储器单元的所述浮体中积累的载流子的数量小于存储所述第一逻辑数据的存储器单元的所述浮体中积累的载流子的数量，其中在所述刷新操作中，当所述浮体处的电位大于临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量大于从所述浮体中流出的载流子的数量，并且当所述浮体处的电位小于所述临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量小于从所述浮体中流出的载流子的数量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810130277.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆蓄电装置及车辆
- 下一篇：移动节点、接入路由器及快速切换的地址配置方法
