[发明专利]多孔质膜的成膜方法和计算机可读的记录介质无效
| 申请号： | 200810130334.5 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101436538A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 大岛康弘;井出真司;柏木勇作;宫谷光太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/768;C23C16/42;C23C16/52;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种多孔质膜的成膜方法和一种计算机可读的记录介质。对通过使用有机硅化合物原料的等离子体CVD法形成的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，形成表面致密化层，进一步通过氢等离子体处理，将CHx基、OH基以被控制的速率从表面致密化层之下的SiOCH膜通过所述表面致密化层而排出，从而稳定地形成多孔质低介电常数膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 质膜 方法 计算机 可读 记录 介质 | ||
【主权项】：
1. 一种多孔质膜的成膜方法，其特征在于，包括；利用有机硅化合物原料在基板上形成含有有机官能基和羟基的电介质膜的工序；在所述电介质膜表面进行将所述有机官能基除去的致密化处理，在所述电介质膜表面形成表面致密化层的工序；和将形成有所述表面致密化层的电介质膜暴露于被等离子体激发的氢自由基，将所述有机官能基和羟基除去，由此在所述电介质膜本体中形成空孔的工序。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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