[发明专利]整合IC焊垫的内建式桥式整流器无效
申请号: | 200810130645.1 | 申请日: | 2008-07-02 |
公开(公告)号: | CN101621059A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 吴伯豪 | 申请(专利权)人: | 义隆电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02M7/04;H02M7/219 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种整合IC焊垫的内建式桥式整流器,包含:第一PMOS晶体管;第一NMOS晶体管,漏极与第一PMOS晶体管的漏极于集成电路的第一焊垫相连接;第二PMOS晶体管,第一PMOS晶体管的源极与第二PMOS晶体管的源极于第一输出节点相连接;以及第二NMOS晶体管,漏极与第二PMOS晶体管的漏极于集成电路的第二焊垫相连接,而且,第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极于第二输出节点相连接;其中,交流输入信号被施加在第一焊垫与第二焊垫之间,及第一输出节点与第二输出节点间产生直流输出信号,且第一输出节点的电压大于第二输出节点的电压。本发明不但节省外部桥式整流器的硬件成本,更缩小印刷电路板的空间。 | ||
搜索关键词: | 整合 ic 内建式桥式 整流器 | ||
【主权项】:
1.一种内建式桥式整流器,适用于一集成电路内,用以接收一交流输入信号,以产生一直流输出信号,其特征在于,所述内建式桥式整流器包含:一第一PMOS晶体管,栅极与源极间短路;一第一NMOS晶体管,栅极与源极间短路,所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极于所述集成电路的一第一焊垫相连接;一第二PMOS晶体管,栅极与源极间短路,所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的源极于一第一输出节点相连接;以及一第二NMOS晶体管,栅极与源极间短路,所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第二PMOS晶体管的漏极于所述集成电路的一第二焊垫相连接,而且,所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的源极于一第二输出节点相连接;其中,所述交流输入信号被施加在所述第一焊垫与所述第二焊垫之间,及所述第一输出节点与所述第二输出节点间产生所述直流输出信号,且所述第一输出节点的电压大于所述第二输出节点的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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