[发明专利]整合IC焊垫的内建式桥式整流器无效

专利信息
申请号: 200810130645.1 申请日: 2008-07-02
公开(公告)号: CN101621059A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 吴伯豪 申请(专利权)人: 义隆电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H02M7/04;H02M7/219
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种整合IC焊垫的内建式桥式整流器,包含:第一PMOS晶体管;第一NMOS晶体管,漏极与第一PMOS晶体管的漏极于集成电路的第一焊垫相连接;第二PMOS晶体管,第一PMOS晶体管的源极与第二PMOS晶体管的源极于第一输出节点相连接;以及第二NMOS晶体管,漏极与第二PMOS晶体管的漏极于集成电路的第二焊垫相连接,而且,第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极于第二输出节点相连接;其中,交流输入信号被施加在第一焊垫与第二焊垫之间,及第一输出节点与第二输出节点间产生直流输出信号,且第一输出节点的电压大于第二输出节点的电压。本发明不但节省外部桥式整流器的硬件成本,更缩小印刷电路板的空间。
搜索关键词: 整合 ic 内建式桥式 整流器
【主权项】:
1.一种内建式桥式整流器,适用于一集成电路内,用以接收一交流输入信号,以产生一直流输出信号,其特征在于,所述内建式桥式整流器包含:一第一PMOS晶体管,栅极与源极间短路;一第一NMOS晶体管,栅极与源极间短路,所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极于所述集成电路的一第一焊垫相连接;一第二PMOS晶体管,栅极与源极间短路,所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的源极于一第一输出节点相连接;以及一第二NMOS晶体管,栅极与源极间短路,所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第二PMOS晶体管的漏极于所述集成电路的一第二焊垫相连接,而且,所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的源极于一第二输出节点相连接;其中,所述交流输入信号被施加在所述第一焊垫与所述第二焊垫之间,及所述第一输出节点与所述第二输出节点间产生所述直流输出信号,且所述第一输出节点的电压大于所述第二输出节点的电压。
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