[发明专利]改善内嵌式动态随机存取存储器速度的无干扰位线写入有效

专利信息
申请号: 200810130691.1 申请日: 2008-07-01
公开(公告)号: CN101447225A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 苏布拉马尼·肯杰里;库奥尤安·许;王兵 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/4094 分类号: G11C11/4094
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;吴贵明
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种操作存储器电路的方法包括提供存储器电路。存储器电路包括一存储器胞;连接到存储器胞的一字线;连接到存储器胞的一第一局部位线与一第二局部位线;以及分别耦合到第一局部位线与第二局部位线的第一全域位线与第二全域位线。此方法进一步包括起始一均等化以使第一局部位线与第二局部位线的电压均等化;停止均等化;以及在起始均等化步骤以后与在停止均等化步骤以前,将数值从第一全域位线与第二全域位线写入到第一局部位线与第二局部位线。
搜索关键词: 改善 内嵌式 动态 随机存取存储器 速度 干扰 写入
【主权项】:
1. 一种操作一存储器电路的方法,所述方法包含以下步骤:提供所述存储器电路,所述存储器电路包含:一存储器胞;连接到所述存储器胞的一字线;连接到所述存储器胞的一第一局部位线与一第二局部位线;以及分别耦合到所述第一局部位线与所述第二局部位线的一第一全域位线与一第二全域位线;起始一均等化以使所述第一局部位线与所述第二局部位线的电压均等化;停止所述均等化;以及在起始所述均等化步骤以后与在停止所述均等化步骤以前,将数值从所述第一全域位线与所述第二全域位线写入到所述第一局部位线与所述第二局部位线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810130691.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top