[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810130769.X | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101477966A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 潘槿道 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括形成旋涂碳膜，所述旋涂碳膜有利于低温烘烤工序，并可防止在形成位线时竖直晶体管崩塌，从而提供更简单的制造方法并提高制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板中形成竖直晶体管；形成填充所述竖直晶体管之间的间隙的旋涂碳膜；在所述半导体基板上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案也位于所述竖直晶体管及所述旋涂碳膜上方；利用所述硬掩模图案作为掩模来蚀刻所述旋涂碳膜，以使位于所述旋涂碳膜底部的半导体基板露出；移除所述硬掩模图案；蚀刻露出的半导体基板，以形成位线沟槽；以及执行植入工序，以在所述半导体基板的一部分中形成位线，在所述半导体基板的所述一部分中，所述位线沟槽与所述竖直晶体管相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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