[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810130770.2 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101533860A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 黄祥珉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/12;H01L21/02;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括位于绝缘体上硅(SOI)基板上的电容器及晶体管。制造所述半导体器件的方法可包括形成这样的结构。绝缘体上硅结构包括第一硅层及第二硅层以及埋于所述第一硅层与所述第二硅层之间的绝缘层，形成于所述绝缘体上硅结构上的半导体器件可包括电容器，所述电容器包括形成于所述第一硅层的掺杂区中的一个电极、以及形成于所述第二硅层的阱区中的另一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在绝缘体上硅结构上形成的半导体器件，所述绝缘体上硅结构包括第一硅层和第二硅层以及埋于所述第一硅层与所述第二硅层之间的绝缘层，所述半导体器件包括电容器，所述电容器包括形成于所述第一硅层的掺杂区中的第一电极、以及形成于所述第二硅层的阱区中的第二电极。
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