[发明专利]氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片无效
| 申请号： | 200810131104.0 | 申请日： | 2008-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101353819A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 藤田俊介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片，其能够抑制在减小厚度操作期间在晶体上出现裂缝，以及能够生长具有相当大厚度的氮化镓晶体。在本发明一个方面的氮化镓晶体生长方法是，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，并且通过氢化物气相外延(HVPE)在下衬底上生长氮化镓晶体的方法。该氮化镓晶体生长方法的特征在于，在氮化镓晶体生长期间载气露点为－60℃或以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体生长 方法 晶体 衬底 外延 晶片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓晶体生长方法，其中，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，通过氢化物气相外延在下衬底上生长氮化镓晶体，该方法的特征在于，在所述氮化镓晶体生长期间所述载气的露点为-60℃或以下。
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