[发明专利]选择性阻挡层抛光浆液无效
| 申请号： | 200810131292.7 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101358108A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 叶倩萩;卞锦儒 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种水性浆液，可用来对包含铜互连的半导体基片进行化学机械抛光。所述浆液包含0－25重量％的氧化剂，0.1－30重量％的磨粒，0.001－5重量％的苯羧酸，0.00002－5重量％的多组分表面活性剂，0.001－10重量％的用来减少铜互连的静态蚀刻的抑制剂，0－5重量％的用来加快铜互连去除速率的含磷化合物，0－10重量％的在抛光过程中形成的络合剂，以及余量的水，所述多组分表面活性剂包含疏水性尾部、非离子型亲水性部分和阴离子型亲水性部分，所述疏水性尾部包含6－30个碳原子，所述非离子型亲水性部分包含10－300个碳原子。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 阻挡 抛光 浆液 | ||
【主权项】：
1.一种可用来对包括铜互连的半导体基片进行化学机械抛光的水性浆液，所述浆液包含0-25重量％的氧化剂，0.1-30重量％的磨粒，0.001-5重量％的苯羧酸，0.00002-5重量％的多组分表面活性剂，0.001-10重量％的用来减少铜互连的静态蚀刻的抑制剂，0-5重量％的用来加快铜互连去除速率的含磷化合物，0-10重量％的在抛光过程中形成的络合剂，以及余量的水，所述多组分表面活性剂包含疏水性尾部、非离子型亲水性部分和阴离子型亲水性部分，所述疏水性尾部包含6-30个碳原子，所述非离子型亲水性部分包含10-300个碳原子。
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