[发明专利]使用等离子体CVD形成碳聚合物膜的方法无效
| 申请号： | 200810131566.2 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101386973A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 森贞佳纪;松木信雄;K·K·戈恩达尔 | 申请（专利权）人： | ASM日本子公司 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;路小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种方法通过电容耦合等离子体CVD装置，在半导体衬底上形成含烃聚合物膜。该方法包括步骤：蒸发沸点为大约20℃到大约350℃的含烃液体单体(CαHβXγ，其中α和β是5或更大的自然数；γ是包括零的整数；X是O、N或F)；将蒸发的气体引入到内部放入了衬底的CVD反应室中；和通过该气体的等离子体聚合，在所述衬底上形成含烃聚合物膜。该液体单体是不饱和的并且不含苯结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 等离子体 cvd 形成 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
1. 通过电容耦合等离子体CVD装置，在半导体衬底上形成含烃聚合物膜的方法，其包括：蒸发沸点为大约20℃到大约350℃的含烃液体单体(CαHβXγ，其中α和β是5或更大的自然数；γ是包括零的整数；X是O、N或F)，所述液体单体是不饱和的并且不含苯结构；将所述蒸发的气体引入内部放入了衬底的CVD反应室中；和通过所述气体的等离子体聚合，在所述衬底上形成含烃聚合物膜。
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