[发明专利]薄膜晶体管和有机发光二极管显示器及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200810131753.0 | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101335302A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 梁泰勋;朴炳建;徐晋旭;李基龙;李吉远 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/36;H01L21/336;H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面150以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有机 发光二极管 显示器 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，电连接到所述半导体层的所述源和漏区，其中所述金属催化剂以在垂直方向上距所述半导体层的表面150![]()
以内超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度存在于所述半导体层的所述沟道区中。
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