[发明专利]具有集成相位掩模的全息存储介质有效
| 申请号： | 200810131953.6 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101339784A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·普齐戈达 | 申请（专利权）人： | 汤姆森特许公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 具有集成相位掩模的全息存储介质。本发明涉及一种全息存储介质(10)，更具体而言，涉及一种具有集成相位掩模(21)的全息存储介质(10)。根据本发明，全息存储介质(10)具有在全息存储层(22)顶部上的相位掩模层(21)，其中该相位掩模层(21)具有用于耦入参考束(8)并在该参考束(8)上印上相位图案的一个或更多相位图案区域(25)，以及用于耦入对象束(7)和/或耦出再现的对象束(11)的一个或更多中性区域(26)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 相位 全息 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种全息存储介质(10)，具有在全息存储层(22)顶部上的相位掩模层(21)，其中所述相位掩模层(21)具有一个或更多相位图案区域(25)以及一个或更多中性区域(26)，所述一个或更多相位图案区域(25)用于耦入参考束(8)并在所述参考束(8)上印上相位图案，所述一个或更多中性区域(26)用于耦入对象束(7)和/或耦出再现的对象束(11)。
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