[发明专利]形成半导体器件图案的方法无效
| 申请号： | 200810132035.5 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101471234A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郑宇荣;沈贵潢 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成半导体器件图案的方法。在本发明的一个方面，在半导体衬底上形成光刻胶层。通过实施曝光工艺，对光刻胶层照射对应于光的最大强度和最小强度的中间值的光，从而在光刻胶层中形成曝光区域。通过移除曝光区域形成光刻胶图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 图案 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在半导体器件上形成图案的方法，所述方法包括：在衬底上设置光掩模，所述光掩模包含多个具有第一间距的狭缝；在设置在所述衬底上的目标层上形成光刻胶层；发射光穿过所述光掩模的狭缝，发射穿过所述光掩模的狭缝的所述光分别在所述光刻胶层的第一位置、第二位置、第三位置和第四位置限定具有最大强度、第一中间强度、第二中间强度和最小强度的波；和移除所述光刻胶层对应于所述第二和第三位置的部分以形成光刻胶图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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