[发明专利]一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术有效
| 申请号： | 200810132429.0 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101615564A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;任晓敏;吕吉贺;蔡世伟;王琦;黄永清 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱黎光 |
| 地址： | 100876*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 中间 工序 裂纹 外延 生长 技术 | ||
【主权项】：
1.一种异质外延生长工艺，其特征在于：外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
