[发明专利]安装半导体器件及其制作方法有效
申请号: | 200810132603.1 | 申请日: | 2008-07-07 |
公开(公告)号: | CN101339911A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 安德烈·王;萨克布赫·巴杰瓦 | 申请(专利权)人: | JDS尤尼弗思公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373;H01L33/00;H01S5/024 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了一种用于将半导体器件安装到包括过渡热沉和热沉的复合基底的方法。根据本发明的一个方面,对过渡热沉和热沉的材料进行选取使得半导体器件的热膨胀系数值在过渡热沉和热沉的材料的热膨胀系数值之间,对过渡热沉的厚度进行选取以平衡半导体器件的热膨胀和过渡热沉表面的热膨胀,所述器件被安装到所述过渡热沉的所述表面上。根据本发明的另一个方面,半导体器件、过渡热沉和热沉在单个加热步骤被焊接到堆叠上,这促使剩余的后焊接应力减小。 | ||
搜索关键词: | 安装 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种低应力安装平面半导体器件的方法,其包括:提供具有平整表面的热沉和具有两个相对的第一和第二平整表面的过渡热沉,其中,三个所述表面中的两个具有粘附在其上的焊料薄膜;将所述热沉的所述平整表面冷接触到所述过渡热沉的所述第一平整表面,以及将所述过渡热沉的所述第二平整表面冷接触到所述平整面半导体器件的平整表面,以形成堆叠,其中,将所述焊料薄膜置于所述过渡热沉的两个侧面上;将所述过渡热沉的所述两个侧面上的所述焊料薄膜熔解;以及将所述焊料薄膜冷却并固化;其中,所述平面半导体器件、所述过渡热沉和所述热沉分别具有第一热膨胀系数CTE1、第二热膨胀系数CTE2和第三热膨胀系数CTE3,其中,以平行于所述平整表面的方向测量所述热膨胀系数,以及其中,所述值CTE1在所述值CTE2和所述值CTE3之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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