[发明专利]具有浮栅的非易失性动态随机存取存储器及其操作方法

摘要

本发明涉及具有浮栅的非易失性动态随机存取存储器(DRAM)及其操作方法，该非易失性DRAM，包括具有表面的第一导电类型的半导体衬底。第二导电类型的第一区域位于所述衬底内所述表面上。所述第二导电类型的第二区域位于所述衬底内所述表面上，与所述第一区域相间隔。所述第一导电类型的体区位于所述衬底内所述第一区域和所述第二区域之间。所述体区由所述表面、一个或多个绝缘区和所述第一和第二区域限定。所述DRAM进一步包括与所述表面绝缘的浮栅，且位于所述第一区域和所述第二区域之间。控制栅被容性耦合至所述浮栅。

主权项

1.一种非易失性无电容单晶体管DRAM，包括：具有表面的第一导电类型的半导体衬底；所述衬底内所述表面上的第二导电类型的第一区域；所述衬底内所述表面上的所述第二导电类型的第二区域，与所述第一区域相间隔；所述衬底内所述第一区域和所述第二区域之间的所述第一导电类型的体区，所述体区由所述表面、一个或多个绝缘区和所述第一和第二区域限定；其中所述改进包括：与所述表面相绝缘的浮栅，且所述浮栅位于所述第一区域和所述第二区域之间；以及被容性耦合至所述浮栅的控制栅。