[发明专利]氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器有效
| 申请号： | 200810133356.7 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101378074A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 吉川俊英;今西健治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H03F1/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍;南霆 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器。氮化物半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的堆叠半导体结构，其包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层和在电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层，该n型氮化物半导体的电子亲合势小于该无掺杂氮化物半导体的电子亲合势，并且沿着与电子供应层的界面在电子沟道层中形成二维电子气；栅电极，其对应于沟道区域而形成在堆叠半导体结构上；以及源电极和漏电极，其分别在栅电极的第一侧和第二侧、以与堆叠半导体结构相欧姆接触地形成在堆叠半导体结构上，所述堆叠半导体结构包括，在衬底和电子沟道层之间连续地并且外延地形成的n型导电层和包含Al的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 多尔蒂 放大器 漏极压控 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的堆叠半导体结构，所述堆叠半导体结构包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层，和在所述电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层，所述n型氮化物半导体的电子亲合势小于所述无掺杂氮化物半导体的电子亲合势，并且沿着与所述电子供应层的界面在所述电子沟道层中形成二维电子气；栅电极，其对应于沟道区域而形成在在所述堆叠半导体结构上；以及源电极和漏电极，其分别在所述栅电极的第一侧和第二侧、以与所述堆叠半导体结构相欧姆接触地形成在所述堆叠半导体结构上；所述堆叠半导体结构包括，在所述衬底和所述电子沟道层之间连续地并且外延地形成的n型导电层和包含Al的阻挡层。
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