[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810133633.4 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101414631A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/792;H01L29/423;H01L29/10;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一绝缘层、一沟道结构、一绝缘结构及一栅极。沟道结构包括一沟道桥，沟道桥的底部与绝缘层相隔一间距，且沟道桥包括多个分离的掺杂区。绝缘结构包覆沟道桥，栅极包覆绝缘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，该装置包括：一绝缘层；一沟道结构，包括一沟道桥连接两平台，该沟道桥的底部与该绝缘层相隔一间距，且该沟道桥包括多个分离的掺杂区；一绝缘结构，包覆该沟道桥；以及一栅极，包覆该绝缘结构。
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