[发明专利]半导体装置、晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810134089.5 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101635260A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 陈巨峰;罗宗仁;郭百钧;宋建宪;阙华君;林安宏 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/092;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置、晶体管及其制造方法，该半导体装置的制造方法包括于一基板上形成一外延层，其中上述外延层的导电类型与上述基板的导电类型相同；于上述外延层中形成一第一掺杂区，其中上述第一掺杂区的导电类型与上述外延层的导电类型相反；进行一退火步骤，以扩散上述第一掺杂区中的掺质；于部分上述第一掺杂区中分别形成一第二掺杂区和一第三掺杂区，且彼此相邻，其中上述第二掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反，上述第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同；于上述外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分上述第二掺杂区和上述第三掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一外延层，其中该外延层的导电类型与该基板的导电类型相同；于该外延层中形成一第一掺杂区，其中该第一掺杂区的导电类型与该外延层的导电类型相反；进行一退火步骤，以扩散该第一掺杂区中的掺质；于部分该外延层中分别形成一第二掺杂区和一第三掺杂区，该第二掺杂区和该第三掺杂区位于该第一掺杂区中，且彼此相邻，其中该第二掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反，该第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同；以及于该外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分该第二掺杂区和该第三掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
