[发明专利]制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810134235.4 | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101477948A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 卜喆圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法，该方法包括：在半导体基板上沉积n层(此处，n是在2至6范围内的整数)掩模薄膜；在所述n层掩模薄膜上形成光阻图案；使用所述光阻图案作为蚀刻掩模蚀刻所述掩模薄膜，直到第m层(此处，m＝n-1)掩模薄膜暴露出来而形成沟槽为止；将绝缘膜填充到所述沟槽中；移除所述绝缘膜周围的掩模薄膜以形成绝缘膜图案；以及使用所述绝缘膜图案作为蚀刻掩模将所述第m层掩模薄膜图案化，直到所述半导体基板暴露出来为止。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 纵向 晶体管 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法，包括：在半导体基板上沉积n层掩模薄膜，n是在2至6范围内的整数；在所述n层掩模薄膜上形成具有接触孔的光阻图案；使用所述光阻图案作为蚀刻掩模蚀刻所述n层掩模薄膜，直到第m层掩模薄膜暴露出来而形成沟槽为止，m＝n-1；将绝缘膜填充到所述沟槽中；移除所述绝缘膜周围的n层掩模薄膜以形成绝缘膜图案；以及使用所述绝缘膜图案作为蚀刻掩模将所述第m层掩模薄膜图案化，直到所述半导体基板暴露出来为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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