[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层。之后，于栅绝缘层上依序形成半导体层、导电层以及彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，感光型黑矩阵包括第一区块以及第二区块，且第一区块的厚度小于第二区块的厚度。之后，以感光型黑矩阵为光掩膜，于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极。接着，于上述膜层上形成保护层，并通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并形成介电层，且进行介电层与保护层的图案化工艺，以暴露漏极。之后，形成一与漏极电连接的像素电极。

主权项

1、一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：于一基板上形成一栅极；于所述基板上形成一栅绝缘层以覆盖所述栅极；于所述栅绝缘层上依序形成一半导体层、一导电层以及一感光型黑矩阵，其中所述感光型黑矩阵具有一彩色滤光层容纳开口，且所述感光型黑矩阵包括一第一区块以及一第二区块，且所述第一区块的厚度小于所述第二区块的厚度；以所述感光型黑矩阵为光掩膜，于所述栅极上方的所述栅绝缘层上同时形成一沟道层、一源极以及一漏极，其中所述栅极、所述沟道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；于所述感光型黑矩阵、所述薄膜晶体管以及所述栅绝缘层上形成一保护层；通过喷墨印刷工艺于所述彩色滤光层容纳开口内形成一彩色滤光层；于所述黑矩阵与所述彩色滤光层上形成一介电层；图案化所述介电层与所述保护层，以使所述漏极暴露；以及形成一与所述漏极电连接的像素电极。