[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 200810134736.2 | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101355130A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 尹相皓;李守烈;白斗高;崔锡范;张泰盛;禹钟均 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有良好的光提取效率的半导体发光器件，以通过增加反射层的全反射率来有效反射移动进入该器件的光。根据本发明的一个方面的半导体发光器件包括：衬底；反射电极；顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层。这里，反射电极包括：第一反射层，设置在衬底上并包括反射由有源层产生的光的导电反射材料；以及第二反射层，设置在第一反射层上，包括反射由有源层产生的光的一个或多个介电部和填充有导电填料以将第一导电类型半导体层和第一反射层电连接的一个或多个接触孔，并且第二反射层的厚度大于所产生的光的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：衬底；叠层，具有顺序地堆叠在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；以及反射电极，设置在所述衬底和所述叠层之间，用于反射由所述有源层产生的光，所述反射电极包括：第一反射层，设置在所述衬底上并包括反射由所述有源层产生的光的导电反射材料；第二反射层，设置在所述第一反射层上，包括反射由所述有源层产生的光的一个或多个介电部，和填充有导电填料以将所述第一导电类型半导体层和所述第一反射层电连接的一个或多个接触孔，并且所述第二反射层的厚度大于所产生的光的波长。
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