[发明专利]沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明是有关于一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法。该方法包括以下步骤：制作第一导电型外延层于硅基板上；制作多数个沟槽于外延层；全面离子注入第一导电型的掺杂物于外延层；制作多晶硅图案层覆盖沟槽与其周围预设范围的外延层；通过多晶硅图案层，注入第二导电型的掺杂物于外延层；导入掺杂物，形成具有第二导电型的井区；通过多晶硅图案层，注入第一导电型的掺杂物于井区，形成多数个第一掺杂区；导入第一掺杂区的掺杂物，形成一源极掺杂区紧邻沟槽；去除位于外延层上方的多晶硅图案层，形成多晶硅栅极。本发明可改善沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的井区的深度分布，避免井区覆盖栅极沟槽的底部而导致晶体管失效。

主权项

1、一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：制作一第一导电型的外延层于一硅基板上；制作多数个第一沟槽于该外延层；全面离子注入第一导电型的掺杂物于该外延层内；通过一多晶硅层光掩膜，以微影蚀刻方式制作一多晶硅图案层覆盖该第一沟槽与其周围一预设范围的该外延层；通过该多晶硅图案层，以离子注入方式注入第二导电型的掺杂物于该外延层内；导入该外延层内的该些掺杂物，以形成一具有该第二导电型的井区；通过该多晶硅图案层，以离子注入方式注入该第一导电型的掺杂物于该井区内，以形成多数个第一掺杂区；导入该第一掺杂区内的掺杂物，以形成一源极掺杂区紧邻于该第一沟槽；去除位于该外延层上方的该多晶硅图案层，以形成该多晶硅栅极；全面沉积一介电层，并于该介电层中制作一接触窗，曝露部份该源极掺杂区；以及沉积一金属层于该介电层上，并覆盖该源极掺杂区。