[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810135662.4 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101345261A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 田边浩 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。本发明公开了通过简化制造工序以低成本实现具有高耐光性特征并具有被抑制的光泄漏电流的TFT。该TFT基本包括：在作为绝缘基板的玻璃基板上形成的遮光膜；在该遮光膜上形成的绝缘膜；在该绝缘膜上形成的半导体膜；以及在该半导体膜上形成的栅绝缘膜。对设置为包括该遮光膜、绝缘膜和半导体膜的三个层的叠层中的每个层同时进行构图。另外，所述叠层的每个层由硅或含硅材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括在绝缘基板上形成的遮光膜、在所述遮光膜上形成的绝缘膜、在所述绝缘膜上形成的半导体膜以及在所述半导体膜上形成的栅绝缘膜，其中，对设置为包括所述遮光膜、所述绝缘膜和所述半导体膜的多个层的叠层中的每个层同时地进行构图，其中所述叠层的每个层由硅或含硅材料制成。
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