[发明专利]衬底处理方法以及器件制造方法无效
| 申请号： | 200810135714.8 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101339366A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·翁;温蒂·弗朗西斯卡·约翰娜·盖霍埃尔万安塞姆;鲁道夫·亚得里亚内斯·约翰内斯·马斯;王舒萍 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底处理方法以及采用所述衬底处理方法的器件制造方法，所述衬底处理方法用于设置有抗反射涂层的衬底，所述抗反射涂层延伸到衬底的外围边缘或延伸超过所述外围边缘。所述衬底处理方法包括采用背面去除工艺去除所述抗反射涂层与衬底的外围相邻或位于所述衬底的外围周围的一部分；将辐射敏感材料层沉积在抗反射涂层上；将顶部涂层沉积到所述辐射敏感材料层上；以及采用顶面去除工艺从与所述衬底的外围相邻的区域周围同时去除所述辐射敏感材料层的一部分和所述顶部涂层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种对衬底进行处理方法，其中所述衬底上设置有抗反射涂层，所述抗反射涂层延伸到所述衬底的外围边缘或延伸超过所述衬底的外围边缘，所述方法包括步骤：采用背面去除工艺去除所述抗反射涂层与衬底的外围相邻以及位于所述衬底的外围周围的一部分；将辐射敏感材料层沉积在抗反射涂层上；将顶部涂层沉积到所述辐射敏感材料层上；以及采用顶面去除工艺从与所述衬底的外围相邻的区域周围同时去除所述辐射敏感材料层的一部分和所述顶部涂层的一部分。
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