[发明专利]灰阶掩模的缺陷修正方法、灰阶掩模及其制造方法有效
| 申请号： | 200810135715.2 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101339362A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 佐野道明;坂本有司 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社;韩国HOYA电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种灰阶掩模的缺陷修正方法，是具有遮光部(21)、透光部(22)以及将掩模使用时所用的曝光光的透过量降低到规定量的半透光部(23)的灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有：在半透光部(23)中，在产生缺陷时确定该缺陷部分(51)、(52)的工序；将包含该缺陷(51)、(52)的半透光部即由遮光部和透光部的至少一方包围的区域的半透光部(23)的全体的半透光膜(26)除去的工序；和在除去该半透光膜(26)的区域(53)，形成和所述半透光膜(26)原材料或组成不同的半透光性的修正膜(27)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 灰阶掩模 缺陷 修正 方法 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、一种灰阶掩模的缺陷修正方法，是用于形成具有遮光部、透光部、以及将掩模使用时所用的曝光光的透过量降低规定量的半透光部，并在被转印体上形成膜厚阶段性地或连续地不同的抗蚀图案的灰阶掩模的缺陷修正方法，其中，所述半透光部，由相对于规定波长的曝光光具有规定的光透过率的半透光膜形成；该灰阶掩模的缺陷修正方法，包括：在所述半透光部中，在缺陷产生时确定该缺陷部分的工序；将包含所述缺陷部分的半透光部、也即由遮光部和透光部的至少一方包围的区域的半透光部全体的半透光膜除去的工序；在除去该半透光膜的区域，形成与所述半透光膜原材料或组成不同的半透光性的修正膜的工序。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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