[发明专利]温度测定构件、温度测定装置和温度测定方法有效
| 申请号： | 200810135718.6 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101344438A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 水野雅夫;平野贵之;富久胜文 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不需要外部配线，也没有杂质和粉尘发生，能够进行从低温至高温的广阔的温度范围中的最高到达温度的测定的温度测定构件、温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机4和IO板5被输出到运算处理装置6的图像数据为基础，以个数计算部7计算在形成有金属薄膜的温度测定构件1受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器8中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部9求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定元件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 测定 构件 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种温度测定构件，其由在表面平滑的基板上形成有表面平滑且具有与基板不同的热膨胀率的金属薄膜的带金属薄膜基板构成，其特征在于，所述基板的表面粗糙度Ra为1μm以下，所述金属薄膜的表面粗糙度Ra为0.5μm以下，所述金属薄膜的膜厚为10nm以上1000μm以下。
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