[发明专利]光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法有效
申请号: | 200810135751.9 | 申请日: | 2008-07-11 |
公开(公告)号: | CN101354527A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 林本坚;李信昌;姚铭峻 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法,该光罩保护膜系统包括透明基板;预定义图案,形成于上述透明基板上;保护膜,靠近于上述透明基板;保护膜框架,用以固定上述保护膜;吸震物,设置于上述保护膜框架和透明基板之间,以释放上述透明基板的压力。该集成电路的制造方法包括:提供基板,其上具有辐射能感应镀膜;提供光掩模保护膜系统,包括光掩模,其上具有图案;保护膜框架,设置于上述光掩模和保护膜之间,且固定上述保护膜;吸震物,设置于上述保护膜框架和光掩模之间,且附着至上述保护膜框架,上述吸震物用以降低上述光掩模的压力;于微影工艺中,利用上述光掩模,在上述基板上形成集成电路图案。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 保护膜 系统 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统,包括:一透明基板;一预定义图案,形成于所述透明基板上;一保护膜;一保护膜框架,用以固定所述保护膜;以及一吸震物,设置于所述保护膜框架和所述透明基板之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810135751.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:椎间盘假体
- 下一篇:一种移动终端及其文件发送、接收方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备