[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体元件的制造方法，并提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在<1-100>方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。

主权项

1. 一种半导体元件的制造方法，其中，具有：工序(a)，准备上表面相对于(0001)面在<1-100>方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度的氮化镓衬底；工序(b)，在上述氮化镓衬底的上述上表面上形成氮化物类半导体层；以及工序(c)，在上述工序(a)、(b)之间，在至少含有NH3的气体或者至少含有NH3和H2的气体环境中，对上述氮化镓衬底在大于等于800℃小于等于1200℃下执行大于等于5分钟的热处理，在上述工序(c)中，在使用至少含有NH3和H2的气体时，该气体中H2的比例设定为小于等于30％。