[发明专利]多级相变存储器器件和相关方法有效
| 申请号： | 200810135807.0 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101345083A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 郑基泰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02;G11C16/30;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种相变存储器器件及其读取方法。相变存储器器件的示例实施例可包括：主单元，被编程为具有分别对应于多比特数据的多个电阻状态中的任何一个；参考单元，每当对主单元被编程时，该参考单元被编程为具有电阻状态当中的至少两个分别不同的电阻状态；以及参考电压产生电路，检测参考单元以产生用于标识每个电阻状态的参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 相变 存储器 器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻存储器器件，包括：多个主单元，被编程为具有多个电阻状态中的任何一个，所述电阻状态与多比特数据相对应；多个参考单元，每当所述主单元的至少一个被编程时，所述多个参考单元被编程为具有所述电阻状态当中的至少两个不同的电阻状态；以及参考电压产生电路，用于检测所述参考单元，以产生用于标识每个所述电阻状态的参考电压。
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