[发明专利]单一阴离子柱撑水滑石及其制备方法

摘要

本发明提供的是一种单一阴离子柱撑水滑石及其制备方法。在室温下，按照M(II)/M(III)摩尔比为2-4的比例，分别称取M(II)(NO₃)₂·6H₂O和M(III)(NO₃)₃·9H₂O配制成硝酸盐水溶液；另取NaOH和Na₂CO₃配制成碱液，在强烈的磁力搅拌下，将上述碱液、硝酸盐水溶液同时逐滴等速加入到容器中，并滴至pH为10.0±0.5；将上述混合浆液于65℃温度下陈化8h，过滤，反复洗涤至中性，在70℃的真空干燥箱内干燥24h；干燥后的物质在450℃温度下焙烧2h，形成双金属氧化物；在N2保护下，将焙烧后的双金属氧化物置于装有具有单一阴离子溶液的容器，并放入恒温振荡器中于180r/min振荡24h，过滤，洗涤两三次后干燥制得产品。本发明利用了水滑石的“记忆效应”，LDHs的层状结构重建，使阴离子进入层间从而形成新结构LDHs。

主权项

1、一种单一阴离子柱撑水滑石，其特征是：其化学结构通式为：[M(II)1-xM(III)x(OH)2]x+·An-x/n·mH2O；其中M(II)是二价金属离子，为Mg2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、Zn2+或Mn2+；M(III)是三价金属离子，为Al3+、Fe3+或Cr3+；An-＝OH-，x＝M3+/(M2++M3+)，n为A的荷电量，m为结晶水数。