[发明专利]α型晶体结构为主体的氧化铝被膜相关技术无效

专利信息
申请号: 200810137619.1 申请日: 2003-08-08
公开(公告)号: CN101445928A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 小原利光;碇贺充;玉垣浩 申请(专利权)人: 株式会社神户制钢所
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C23C8/02;C23C8/10;C23C30/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴 娟;李平英
地址: 日本兵库*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供制造耐热性特别优良的以α型晶体结构主体的氧化铝被膜的方法,其中包括:1)在具有由以Al和Ti为必要金属成分与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜的叠层被膜上,氧化该硬质被膜而形成氧化物含有层,在该氧化物含有层上形成以α型晶体结构为主体的氧化铝被膜的方法;2)在形成由氧化物生成的标准自由能大于铝的金属与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜之后,氧化该硬质被膜的表面而形成氧化物含有层,接着,伴随该氧化物含有层表面的氧化物的还原,同时形成氧化铝被膜。
搜索关键词: 晶体结构 主体 氧化铝 相关 技术
【主权项】:
1. 一种在预先形成了底膜的基材上形成以α型晶体结构为主体的氧化铝被膜的、以α型晶体结构为主体的氧化铝被膜的制造方法,其特征在于:在形成了由以Al为必要金属成分与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜作为该底膜之后,氧化处理该硬质被膜而形成氧化物含有层,然后在该氧化物含有层上形成以α型晶体结构为主体的氧化铝被膜。
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