[发明专利]硅多结太阳能电池及其制备方法

摘要

硅多结太阳能电池，其具有至少两个子电池(1，2)，每个子电池具有p－型层(p1，p2)、本征层(i1，i2)和磷掺杂的n－型层(n1，n2)。与置于其前的子电池(1)的n－型层(n1)接触的p－型层(p2)被构造为至少部分纳米－或微晶的。

主权项

1.硅多结太阳能电池，其包括至少两个子电池(1，2)，每个子电池包括p-型层(p1，p2)、本征层(i1，i2)和磷掺杂的n-型层(n1，n2)，光经由p-型层(p1，p2)落入特定子电池(1，2)的本征层(i1，i2)，p-型层(p2)具有在与置于其前置于其前的子电池(1)的n-型层(n1)的界面处的第一子层(p-21)，以及第二非晶子层(p22)，其特征在于p-型层(p2)的第一子层(p21)包括纳米晶硅，该纳米晶硅包括尺寸为1-100nm的晶体，并且具有至少2nm的层厚度，所述n-型层(n1)具有比与其接触的位于其后的子电池(2)的p-型层(p2)的层厚度(Dp2)更小的层厚度(Dn2)。