[发明专利]SOI衬底的制造方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具备即使在使用玻璃衬底等的耐热温度低的衬底时也可以承受实际工作的半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用这种SOI衬底的具有高性能的半导体装置。使用波长为365nm以上且700nm以下的光来对从半导体衬底分离且接合到具有绝缘表面的支撑衬底上的半导体层照射光，并且在将光波长及半导体层的折射率分别设定为λ(nm)及n，m是1以上的自然数(m＝1、2、3、4…)，并且满足0≤α≤10的情况下，照射光的半导体层的厚度d(nm)满足d＝λ/2n×m±α(nm)。可以对半导体层以半导体层的光吸收率大的最适合条件照射能够在半导体层中反射并共振而进行加热处理的光。

主权项

1.一种SOI衬底的制造方法，包括以下工序：通过从单晶半导体衬底分离半导体层来在支撑衬底上形成所述半导体层；以及对所述半导体层从所述半导体层一侧照射波长为365nm以上且700nm以下的光，其中被照射所述光的所述半导体层的厚度d满足：d＝λ/2n×m±α(nm)，并且λ(nm)是所述光的波长，n是所述半导体层的折射率，m是1以上的自然数，并且α是满足0≤α≤10的参数。