[发明专利]非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器有效
| 申请号： | 200810138792.3 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101340060A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李沛旭;李树强;夏伟;张新;汤庆敏;任忠祥;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器，其结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、势垒限制层、P型上限制层、过渡层和欧姆接触层，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为铟镓砷磷材料，波导层和量子阱层共同组成无铝有源区，上限制层与上波导层之间具有一层厚度为50nm－150nm、带隙宽于上限制层并由P型铝镓铟磷材料形成的势垒限制层。本发明能够增加P型材料区的光限制因子，降低光向P型材料区的泄漏，减少高掺杂区的载流子光吸收损耗，提高激光器的工作效率，同时该结构提高了有源区对载流子的限制作用，降低了载流子的泄漏，也有利于阈值电流的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 结构 有源 808 nm 大功率 量子 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器，其结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、过渡层和欧姆接触层，其特征在于，衬底和缓冲层均为N型掺杂镓砷材料，下限制层为N型铝镓铟磷材料，上限制层为P型铝镓铟磷材料，过渡层为P型镓铟磷材料，欧姆接触层为P型镓砷材料，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为铟镓砷磷材料，上波导层、量子阱层和下波导层共同组成无铝有源区。
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