[发明专利]一种中低功率半导体激光器的封装制作方法

摘要

本发明提供了一种中低功率半导体激光器的封装制作方法，该封装制作方法是利用热沉作为中间载体，在热沉上以整片的方式蒸镀焊料，然后在每个热沉单位上粘结半导体激光器管芯芯片，一起进行烧结，将烧结后的粘有芯片的热沉单位从整片热沉片上切割下来，利用银浆粘结到T05管座的舌头上，在半导体激光器管芯芯片的N面电极上键合金线，将金线连接到T05管座的阴极管脚上。本发明可以对焊料厚度进行精确控制，解决了由于焊料过厚或者过薄造成的焊料气泡或烧结不牢等问题，满足了批量生产的需要，相比C－mount具有更好的通用性，提高了材料利用率，降低了生产成本。

主权项

1.一种中低功率半导体激光器的封装制作方法，其特征是：是利用一种厚度在0.2mm-0.3mm之间的长方体热沉作为中间载体，首先以整片的方式在热沉上蒸镀焊料，然后利用焊料在每个热沉单位上粘结半导体激光器管芯芯片，粘结完毕后一起放入合金炉，采用铟焊料时，在200℃-300℃及通氮气保护条件下烧结10分钟-20分钟，采用金锡焊料时，在280℃-300℃及通氮气保护条件下烧结10秒-60秒，将烧结后粘有芯片的热沉单位从整片热沉片上切割下来，利用银浆粘结到TO5管座的舌头上，在半导体激光器管芯芯片的N面电极上键合金线，将金线连接到TO5管座的阴极管脚上，半导体激光器管芯芯片通过TO5管壳的舌头作为正电极，阴极管脚作为负电极进行通电工作。