[发明专利]一种促进燃烧的方法及其装置无效
| 申请号： | 200810141815.6 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101368736A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 马骧彬 | 申请（专利权）人： | 马骧彬 |
| 主分类号： | F23L7/00 | 分类号： | F23L7/00;C01B13/02 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张学群 |
| 地址： | 518029广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种促进燃烧的方法，在空气通道中设置超氧负离子发生器(20)，以其光源(22)照射n型半导体材料，空气流过时接触所述n型半导体材料进行空气活化，活化后的空气进入燃烧室参与燃烧。促进燃烧的装置包括壳体(10)，壳体上设有空气进口(11)和空气出口(12)，从而在壳体内形成气流通道，所述气流通道上设有至少一个超氧负离子发生器(20)，由换能器(21)和照射所述换能器以产生激发电荷的光源(22)组成，所述换能器由n型半导体材料及其所附着的载体组成。本方法和装置提高了自然空气中氧的活性，从而促进燃烧，使燃料燃烧更加彻底，提高燃料的利用率，可在应用燃烧的系统中使用，如发动机、燃煤锅炉或燃油锅炉等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 促进 燃烧 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种促进燃烧的方法，其特征在于，在用于燃烧的空气通道中设置超氧负离子发生器(20)，以该超氧负离子发生器的光源(22)照射n型半导体材料，空气流过时接触所述超氧负离子发生器的n型半导体材料进行空气活化，活化后的空气进入燃烧室参与燃烧。
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