[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810142807.3 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101304030A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 小出辰彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/73;H01L21/8222;H01L21/331;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其具有：在半导体衬底的主表面上设置的第一绝缘分离膜；围绕第一绝缘分离膜的有源区域；设置在半导体衬底的主表面上、比第一绝缘分离膜厚度小并将有源区域分离为第一有源区域和第二有源区域的第二绝缘分离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：设置在半导体衬底的主表面上的第一绝缘分离膜；围绕所述第一绝缘分离膜的有源区域；设置在所述半导体衬底的主表面上、比所述第一绝缘分离膜厚度小、并将所述有源区域分离为第一有源区域和第二有源区域的第二绝缘分离膜；在所述第一有源区域形成的杂质层；在所述第二有源区域形成的基极区域和在所述基极区域上的发射极区域；以及在所述半导体衬底形成的集电极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
