[发明专利]超薄类金刚石碳薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810142998.3 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101768010A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张俊彦;王琦;张军英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过自组装有机单分子膜作为调制层制备超薄类金刚石碳薄膜的制备方法。本发明通过采用有机自组装单分子膜作为过渡层，制备超薄类金刚石薄膜。该方法成本低廉易操作，制备的薄膜具有优良的摩擦磨损特性。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄类金刚石碳薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：A制备有机自组装单分子膜选用P(100)Si作为衬底，将衬底放入硫酸中加热至沸腾，取出衬底；然后在溶液中浸泡，所述的溶液中溶剂由丙酮和水组成，溶质为N’-[3-(Trimethoxysilyl)-propyl]driethylenetriamine，tech(TA)；B制备类金刚石膜利用RF-PECVD设备在制备好有机自组装单分子膜的P(100)Si衬底和P(100)硅衬底上沉积类金刚石膜；通入甲烷和氢气，在射频功率100W、负偏压200V、沉积气压5帕的条件下沉积。
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