[发明专利]一种硅薄膜太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种硅薄膜太阳能电池的制作方法，首先将纯度大于99.999％的P型高纯多晶硅粉碎至粒度为5－50微米的高纯多晶硅粉末，然后涂敷于结合有铝电极的衬底上，形成高纯p型硅微米颗粒膜；通过退火工艺使硅微米颗粒和金属导电底电极界面合金化，接着在所述的硅颗粒单层膜上沉积n型硅层，或者依次沉积本征硅层、n型硅层；最后沉积一层透明导电电极层。本发明采用高纯多晶硅源料破碎、涂覆这一独特技术可以在玻璃、塑料、金属薄片等衬底上实现高质量多晶硅薄膜的沉积，用于太阳能电池制作工艺方法简单、生产成本低、光电转换效率高，具有非常广泛的产业化价值。

主权项

1.一种硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征是：将纯度大于99.999％的p型高纯多晶硅气流粉碎至粒度为5—50微米的高纯多晶硅粉末，然后涂敷于导电衬底上，形成高纯p型硅微米颗粒膜层；接着在所述的硅颗粒单层膜上沉积n型硅层或者本征硅层后再叠加n型硅层，最后沉积一层透明导电电极层完成原型太阳能电池。