[发明专利]Ⅲ族氮化物基板的制造方法有效
| 申请号： | 200810144145.3 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101335205A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/04;B28D1/06;B24B27/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在在提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线(22)而构成的金属线列(21)切断结晶块(3)，该结晶块(3)包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块(3)及金属线(22)中至少一方在与金属线(22)延长方向B直交的方向上进行传送并且一边供给研磨液一边切断结晶块(3)的方式，切断结晶块(3)。切断结晶块(3)时，将金属线(22)的延长方向B相对于结晶块(3)的{1－100}面倾斜3°以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基板，其通过切断由六方晶系的氮化镓结晶构成的结晶块制造而成，其中，基板的翘曲为50μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
