[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 200810144501.1 | 申请日： | 2004-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101335303A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;魏军 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种在不使TFT的工艺复杂化的情况下可以实现面板上载系统，并且抑制成本的发光器件。本发明的发光器件的特征是：在像素部分中提供包括发光元件和控制施加给该发光元件的电流的TFT的像素，驱动电路包括的TFT和控制施加给该发光元件的电流的TFT包括：栅电极和形成在该栅电极上的栅绝缘膜；中间夹所述栅绝缘膜和所述栅电极重叠的第一半导体膜；在该第一半导体膜上形成的一对第二半导体膜，其中，所述一对的第二半导体膜中掺杂有赋予一个导电型的杂质，且所述第一半导体膜由半晶半导体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在衬底上的栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；形成在栅电极上的包括半晶硅的第一半导体层，栅绝缘膜置于第一半导体层和栅电极之间；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第一半导体层上的具有n型导电性的一对第三半导体层，第二半导体层至少置于第一半导体层和所述一对第三半导体层之间，其中第二半导体层具有比所述一对第三半导体层低的导电性；形成在所述一对第三半导体层的其中之一上的第一导电层；以及形成在所述一对第三半导体层的另一个上的第二导电层。
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