[发明专利]氮化物类半导体叠层结构及半导体光元件以及其制造方法有效
| 申请号： | 200810144617.5 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101340058A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/00;H01L21/205;C30B29/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物类半导体叠层结构、半导体光元件以及其制造方法。本发明提供氮化物类半导体叠层结构，其包含采用了有机金属化合物的III族原料和包含肼衍生物的V族原料的低电阻的p型氮化物类半导体层。可以构成电阻值低的p型氮化物类半导体层的工作效率良好的氮化物类半导体叠层结构。其具备基板和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料及p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm－3以下的p型氮化物类半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 结构 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、氮化物类半导体叠层结构，其具备：基板、和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料和p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm-3以下的p型氮化物类半导体层。
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