[发明专利]制造具有均匀涂层厚度的半导体器件的方法及相关器件有效
| 申请号： | 200810144670.5 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101325167A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 姜芸炳;权容焕;李忠善;权云星;张衡善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造具有均匀涂层厚度的半导体器件的方法及相关器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层，和在衬底上形成至少两个部件，从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区，所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区，从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 均匀 涂层 厚度 半导体器件 方法 相关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层；和在所述衬底上形成至少两个部件，从而所述扩散阻挡层分别设置在每个部件和所述衬底之间并接触所述至少两个部件，其中：所述衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，所述衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，至少两个部件中的第一部件处于第一杂质区中，和至少两个部件中的第二部件处于第二杂质区中，从而通过所述不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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