[发明专利]晶片发光结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810144994.9 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656281A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陶青山;徐子杰;王振奎 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露一晶片发光结构及其制造方法。该晶片发光结构包含一支持基板；一抗形变层，位于该支持基板之上；一粘结层，位于该抗形变层之上；以及一发光叠层，位于该抗形变层之上，其中该粘结层连接该抗形变层与该发光叠层；其中该晶片发光结构经一薄化工艺产生的一形变高度不超过约该晶片发光结构的一厚度的10倍，其中该形变高度为该晶片发光结构的下表面与侧边的一交界处至发光结构的一下表面几何中心点的高度差，该厚度为该晶片发光结构的该下表面几何中心点至发光结构的一上表面几何中心点的高度差。抗形变层可减少或消除支持基板被薄化后所产生的变形，例如翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发光 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造一晶片发光结构的方法，包含：提供一支持基板；形成一抗形变层于该支持基板之上；提供一成长基板；形成一发光叠层于该成长基板之上；形成一粘结层于该抗形变层与该发光叠层之间；进行一接合工艺，通过该粘结层接合该发光叠层与该抗形变层；以及薄化该支持基板，其中该晶片发光结构于薄化后产生一形变高度最大约为该晶片发光结构的一厚度的10倍，其中该形变高度为该晶片发光结构的下表面与一侧边的一交界处至一下表面几何中心点的高度差，该厚度为该晶片发光结构的该下表面几何中心点至该晶片发光结构的一上表面几何中心点的高度差。
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