[发明专利]光耦合器件有效
| 申请号： | 200810145126.2 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359071A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吉田春彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G02B6/30 | 分类号： | G02B6/30;G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明能够与其他的光器件、其电极等的工艺整合而集成化，可以实现大规模的集成化、批量生产化等。在使在光纤、空间中传播的光信号耦合到光波导中的光耦合器件中，具备：形成在基板11上的下部包层12；光波导13，其在下部包层12上，前端朝向下部包层12的端部形成，并且前端部13a收拢为锥形状；以及上部包层14，其在下部包层12上以及光波导13的前端部13a上，从下部包层12的端部连续地形成到光波导13的前端部13a，并且比下部包层12折射率大；其中，利用上部包层14将入射到下部包层12的端部的光引到该包层14侧，使其耦合到光波导13的前端部13a。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光耦合器件，其特征在于，具备：形成在基板上的下部包层；光波导，其在上述下部包层上，前端朝向上述下部包层的端部形成，并且该前端部收拢为锥形状；以及上部包层，其在上述下部包层上以及上述光波导的前端部上，从上述下部包层的端部连续地形成到上述光波导的前端部，并且比上述下部包层折射率大；其中，利用上述上部包层将入射到上述下部包层的端部的光引到该上部包层侧，使其耦合到上述光波导的前端部。
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