[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200810145403.X | 申请日: | 2008-08-05 |
公开(公告)号: | CN101393867A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 清濑浩巳 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;G02F1/1333;G03F1/00;G11B7/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐 恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够长时间地将磷酸水溶液的蚀刻特性维持在规定水平的基板处理装置。添加剂投入机构(30)向贮留在浸渍处理槽(10)内的磷酸水溶液中,逐次投入含有六氟硅酸水溶液(H2SiF6+H2O)的添加剂。而且,捕集剂投入机构(40)向磷酸水溶液中,投入含有氟硼酸水溶液(HBF4+H2O)的捕集剂。通过逐次投入添加剂,能够适当补充促进氮化硅膜的蚀刻的F-,并且,通过氟硼酸分解的氢氟酸蚀刻因逐次投入该添加剂而增加的硅氧烷,能够抑制硅氧烷的浓度显著升高。由此,对于氮化硅膜以及氧化硅膜两者,能够维持在初始的蚀刻速度。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种基板处理装置,其将形成有氧化硅膜以及氮化硅膜的基板浸渍到磷酸水溶液中而对氮化硅膜进行蚀刻处理,其特征在于,具有:浸渍处理槽,其贮留磷酸水溶液并将所述基板浸渍在磷酸水溶液中从而进行对氮化硅膜的蚀刻处理;添加剂投入装置,其向所述浸渍处理槽内的磷酸水溶液中投入含有六氟硅酸的添加剂;捕集剂投入装置,其向所述浸渍处理槽内的磷酸水溶液中投入含有氟硼酸的捕集剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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