[发明专利]CMOS图像传感器装置及其形成方法无效
| 申请号： | 200810145863.2 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101419941A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 朴升龙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成根据本发明实施例的CMOS图像传感器(CIS)的方法包括：在可以形成包括光电二极管的逻辑部件的半导体衬底上方顺序地形成第一光刻胶和阻挡层。可以通过在所形成的阻挡层的顶部上方涂覆第二光刻胶，图样化该第二光刻胶，以及然后使用被图样化的第二光刻胶作为掩模蚀刻阻挡层来形成微透镜阵列图样。可以通过使用微透镜阵列图样作为掩模实施各向同性蚀刻来图样化第一光刻胶。可以通过将具有折射率高于第一光刻胶的折射率的材料填入第一光刻胶中被图样化的部分来形成微透镜阵列。在通过使用各向同性蚀刻制造微透镜阵列来保持透镜的球形表面的同时，可以通过最大化填充系数来使CIS的灵敏度最优化。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：在形成逻辑部件的半导体衬底的上方顺序地形成第一光刻胶和阻挡层；通过在所述形成的阻挡层的顶部上方涂覆第二光刻胶，图样化所述第二光刻胶，以及然后使用所述被图样化的第二光刻胶作为掩模蚀刻所述阻挡层来形成微透镜阵列图样；通过使用所述微透镜阵列图样作为掩模实施各向同性蚀刻来图样化所述第一光刻胶；以及通过将具有折射率高于所述第一光刻胶的折射率的材料填入所述第一光刻胶中被图样化的部分来形成微透镜阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
